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意法半導(dǎo)體SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管擁有寬帶隙
2015/3/2 21:08:52     

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【產(chǎn)通社,3月2日訊】益登科技(EDOM Technology)官網(wǎng)消息,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;NYSE股票代碼:STM)最新推出的SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管具有先進(jìn)的能效與卓越的可靠性,將為更多節(jié)能應(yīng)用帶來技術(shù)優(yōu)勢,包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風(fēng)力發(fā)電、高能效驅(qū)動器、電源以及智能電網(wǎng)設(shè)備。


產(chǎn)品特點


1200V SCT20N120進(jìn)一步擴(kuò)大了碳化硅MOSFET產(chǎn)品系列,具有小于290m?的通態(tài)電阻(RDS(ON))及高達(dá)200°C的最大工作結(jié)溫等諸多特性優(yōu)勢;其高度穩(wěn)定的關(guān)斷電能(Eoff)和柵電荷(Qg)可使開關(guān)性能在整個工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)始終如一。最終的低導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗配合超低泄漏電流,將有助于簡化熱管理設(shè)計,并最大限度地提高可靠性。

除更低的電能損耗外,意法半導(dǎo)體的碳化硅MOSFET的開關(guān)頻率也同樣出色,較同等級的硅絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)高出3倍,這讓設(shè)計人員能夠使用更小的外部元器件,進(jìn)而降低產(chǎn)品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高溫性可大幅度簡化電源模塊、電動汽車等應(yīng)用的散熱系統(tǒng)(cooling-system)設(shè)計。

SCT20N120采用意法半導(dǎo)體獨有的HiP247封裝,其更高的熱效率可使管子在最大工作溫度高達(dá)200°C時,依然能夠維持與TO-247工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)功率封裝外觀兼容。


供貨與報價


SCT20N120目前已開始量產(chǎn)。查詢進(jìn)一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.edom.com.tw,以及http://www.st.com。

    (完)
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