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意法半導體STD6N65M2 650V MOSFET提升能效和安全系數
2014/12/5 9:11:05     

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【產通社,12月5日訊】大聯(lián)大控股(WPG Holdings)官網消息,意法半導體(STMicroelectronics;NYSE股票代碼:STM)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可滿足家電、低功耗照明以及太陽能微逆變器對電源能效的要求,同時提供更高的可靠性和最新且可滿足高功率密度的封裝選項。
 

產品特點
 
 
MDmesh M2系列產品擁有最新、最先進的超接面技術,具有比上一代產品更低的導通電阻(RDS(ON)),以及更低的閘極電荷(QGD)和輸入/輸出電容(Ciss/Coss)。此外,這些產品更進一步降低了能源消耗和熱散逸(heat dissipation),讓開發(fā)人員能夠更快地設計出更高效的產品。同時,與市場現(xiàn)有的600V典型產品相比,意法半導體的新產品將崩潰電壓提高至650V,確保新產品具有更高的安全系數,讓設備廠商能夠設計更穩(wěn)固且更可靠的系統(tǒng)。
 
新系列產品還增加了一款采用表面黏著封裝的PowerFLAT 5×6 HV高電壓產品,雖然封裝面積和厚度都很小,但卻擁有極佳的熱性能和電流處理能力。預計于2015年第一季投入量產的PowerFLAT 5×6 HV產品可大幅提高功率密度,協(xié)助設備廠商研發(fā)尺寸更小的下一代產品,而在實現(xiàn)高輸出功率的同時,不會影響工作可靠性。
 
MDmesh M2 MOSFET的目標應用包括筆記本電腦、打印機和游戲機等設備的外接電源,以及電視機和音響系統(tǒng)的內部電源。3W-25W單管LED燈引擎以及大功率多管LED燈引擎驅動器也將受益于新產品的熱效率與熱性能。PowerFLAT 5x6 HV封裝是太陽能微逆變器的理想選擇,為尺寸精巧的家用和商用逆變器模塊帶來MDmesh M2產品的能效優(yōu)勢。


供貨與報價


STD6N65M2采用D2PAK封裝,22 MDmesh M2 650V MOSFET現(xiàn)已上市,最大額定電流范圍為4-11A,最低導通電阻RDS(ON)降至0.360Ω。查詢進一步信息,請訪問官方網站http://www.st.com/mdmeshm2,以及http://www.wpgholdings.com。

    (完)
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