【產通社，11月20日訊】友尚企業(yè)集團（YOSUN GROUP）官網(wǎng)消息，意法半導體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）新H系列1200V IGBT基于第二代溝槽式場截止（trench-gate field-stop）高速技術，可降低多達15%的關機損耗和導通損耗，提升太陽能逆變器、焊機（welder）、不間斷電源和功率因子校正（PFC）轉換器的耐用性和能效。

產品特點

新H系列1200V IGBT飽和電壓（Vce（sat））減少至2.1V（在標準集極電流和100°C下的典型值），這能確�？傮w損耗降至最低，在20kHz開關頻率下更高效地工作。此外，新款1200V IGBT提供整合高速恢復反平行二極管的選項，以協(xié)助開發(fā)人員優(yōu)化硬開關（hard-switching）電路的性能，使用飛輪二極管（freewheel diode）大幅降低開關電路的能源損耗。

新款IGBT擁有極強的耐用性，當實際電流是標準電流的四倍時無鎖定（latch-up-free）效應，及僅5µs的短路時間（在150°C初始結溫時）。最大工作結溫擴大到175°C，有助于延長產品的使用壽命，簡單化系統(tǒng)散熱設計。寬安全工作范圍（SOA，Safe Operating Area）則有效提升大功率應用的工作可靠性。

優(yōu)異的防電磁干擾（EMI）是新產品的另一大優(yōu)勢，這歸功于新系列產品在開關過程中取得近乎理想的波形，令競爭產品望塵莫及。Vce（sat）的正溫度系數(shù)，結合組件之間參數(shù)分布緊密，使其在大功率應用中能更安全的平行工作。
 

供貨與報價

意法半導體的H系列IGBT現(xiàn)已量產，采用TO-247封裝，共有15A、25A和40A三個型號。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.yosungroup.com，以及http://www.st.com/igbt。