安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN）2月14日推出采用小型SOT-723封裝，特別為空間受限的便攜式應(yīng)用優(yōu)化的新一代功率MOSFET，這些新低臨界值功率MOSFET采用安森美半導(dǎo)體領(lǐng)先業(yè)內(nèi)的Trench技術(shù)來(lái)取得能夠和SC-89或SC-75等大上許多封裝MOSFET器件匹敵的電氣和功率性能表現(xiàn)。
    NTK3134N是一款20V, 890mA的N通道MOSFET，NTK3139P則是-20V, -780mA的P通道MOSFET，兩款器件在高于200mA工作電流下的低導(dǎo)通電阻RDS(on)以及1.5V的低門(mén)極電壓讓它們可以通過(guò)電源管理ASIC或其他控制器直接控制。
    NTK313xx器件相當(dāng)適合負(fù)載或電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用和小信號(hào)接口切換，內(nèi)置靜電放電(ESD)保護(hù)，這些器件把特殊處理和封裝工序需求減到最低。SOT-723封裝的1.2mm x 1.2mm占位面積比起提供相似性能，采用SC-89或SC-75封裝的MOSFET節(jié)省了44%的電路板空間，擁有0.5mm的低垂直間隙，這些新SOT-723封裝MOSFET能滿(mǎn)足新一代超薄手持便攜式設(shè)備的需求。
    目前兩款器件都已批量生產(chǎn)并供貨，每10,000片的預(yù)算批量單價(jià)為0.13美元。如需更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.onsemi.com.cn或聯(lián)系郭樹(shù)坤(電郵地址: Ricky.Kwok@onsemi.com)。    （完）