【產(chǎn)通社，9月29日訊】科銳（Nasdaq: CREE）官網(wǎng)消息，其C2M系列1200V/80mΩ SiC MOSFET被日本Sanix公司采用，應(yīng)用在其新型9.9kW三相太陽能逆變器的設(shè)計(jì)之中，以用于日本快速增長的太陽能市場商業(yè)光伏系統(tǒng)建設(shè)。

Sanix公司總經(jīng)理Hiroshi Soga表示：“通過與科銳的合作并采用其SiC技術(shù)，Sanix公司能夠在競爭激烈的日本太陽能市場爭取更多的市場份額，科銳SiC MOSFET是Sanix公司實(shí)現(xiàn)高效率與散熱設(shè)計(jì)目標(biāo)的關(guān)鍵。同我們原先考慮采用的Si超結(jié)MOSFET相比，SiC技術(shù)能夠降低我們逆變器電子中超過30%的損耗。除了大幅提升效率之外，科銳最新一代C2M SiC MOSFET的價(jià)格也很有競爭力，使得替代低電壓、低耐受度、低效率的Si MOSFET成為可能。”

科銳功率與射頻總經(jīng)理兼副總裁Cengiz Balkas表示：“我們很高興Sanix公司選擇科銳C2M 1200V SiC MOSFET技術(shù)應(yīng)用在其新型9.9kW太陽能逆變器中�？其JSiC功率器件為光伏逆變器帶來效率、可靠性及成本等多方面的顯著優(yōu)勢，為Sanix公司提供關(guān)鍵競爭優(yōu)勢，從而幫助其在日本太陽能市場中繼續(xù)擴(kuò)大市場份額�！�

應(yīng)用特點(diǎn)

科銳1200V C2M 0080120D MOSFET應(yīng)用在太陽能逆變器的主要電能轉(zhuǎn)換階段，具有更快的開關(guān)特性，開關(guān)損耗僅為相應(yīng)的900V Si超結(jié)MOSFET的三分之一�？其JSiC MOSFET通過大幅降低開關(guān)損耗，從而實(shí)現(xiàn)更低的總體系統(tǒng)能源損耗、更高的開關(guān)頻率、更低的工作溫度。所有這些優(yōu)點(diǎn)幫助提升轉(zhuǎn)換效率，同時(shí)降低了系統(tǒng)尺寸、重量、復(fù)雜度和熱管理要求。從系統(tǒng)層面來看，逆變器的性能得到了提升、成本得到了下降、使用壽命得到了延長。

科銳C2M系列SiC MOSFET業(yè)經(jīng)證明可實(shí)現(xiàn)三倍于傳統(tǒng)Si技術(shù)的功率密度，目前可提供1200V和1700V、25mΩ到1Ω不同產(chǎn)品型號可選�？其JC2M MOSFET可用于各種工業(yè)級功率型應(yīng)用場合，自2013年3月推出以來市場需求就不斷增長�？其JSiC MOSFET已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，并為Sanix公司和其他光伏逆變器生產(chǎn)商，以及工業(yè)電源、輔助電源轉(zhuǎn)換器、電池充電器和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)生產(chǎn)制造商等供貨。

供貨與報(bào)價(jià)

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