【產(chǎn)通社，9月21日訊】中芯國際集成電路制造有限公司（SMIC；NYSE股票代碼：SMI；HKEX股票代碼：981）官網(wǎng)消息，其38納米NAND閃存工藝制程已準備就緒。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質量、低密度NAND閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領域的領先地位。

NAND閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲（NVM）產(chǎn)品。38納米NAND閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域。客戶也可利用此技術帶動串行外設接口（SPI）NAND市場的發(fā)展以及不斷增長的IoT相關產(chǎn)品的應用。此次中芯國際成功推出38納米NAND閃存技術，能夠幫助客戶滿足中國及全球市場對此技術的需求。

中芯國際技術研發(fā)執(zhí)行副總裁李序武博士表示，“此前中芯國際已開發(fā)出一系列從130納米到65納米的特殊NOR閃存平臺。經(jīng)過研發(fā)團隊專注及系統(tǒng)的努力，我們成功推出了38納米NAND閃存，在技術多元化方面取得重要進展，也為后續(xù)開發(fā)更先進的2x/1x納米及3D NAND閃存奠定了穩(wěn)固的基礎。我們將繼續(xù)努力推進NAND閃存技術的開發(fā)，以滿足無晶圓廠客戶對高質量標準的要求。”

中芯國際首席執(zhí)行官兼執(zhí)行董事邱慈云博士表示，“這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶及合作伙伴，都具有重大的戰(zhàn)略性意義。對客戶來說，中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術開發(fā)方面的決心和能力。此外，還證明中芯國際有足夠的實力在精心選擇的細分市場確立領導地位�！�

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