【產(chǎn)通社,5月1日訊】友尚企業(yè)集團(tuán)(YOSUN GROUP)官網(wǎng)消息,意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics;NYSE股票代碼:STM)率先研制出工作溫度達(dá)到200°C的高壓碳化硅(SiC)功率MOSFET——SCT30N120。碳化硅固有屬性使其比傳統(tǒng)硅功率晶體管節(jié)能至少50%,而且器件本身的尺寸還可以變得更小,擊穿電壓變得更高。這項(xiàng)技術(shù)被視為系統(tǒng)能效、微型化和成本優(yōu)化連續(xù)改進(jìn)的一項(xiàng)重要開(kāi)發(fā),能讓電源設(shè)計(jì)人員能夠提高太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)汽車(chē)、企業(yè)計(jì)算和工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等諸多應(yīng)用的能效。
計(jì)算機(jī)房和數(shù)據(jù)中心居高不下的用電成本讓能效成為許多IT管理高層首要關(guān)注的問(wèn)題。用碳化硅器件代替普通硅開(kāi)關(guān),有助于提高大功率電源的能源利用率(PUE,Power Usage Effectiveness),PUE是衡量數(shù)據(jù)中心能效的指標(biāo)。根據(jù)電腦產(chǎn)業(yè)拯救氣候行動(dòng)組織(CSCI,Climate Savers Computing Initiative)預(yù)測(cè),到2015年,高能效網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)設(shè)備可節(jié)省能源開(kāi)支50億美元,減少二氧化碳排放量3800萬(wàn)噸。
產(chǎn)品特點(diǎn)
碳化硅MOSFET晶體管還能用于太陽(yáng)能逆變電源,代替?zhèn)鹘y(tǒng)的高壓硅IGBT(絕緣柵雙極晶體管),將太陽(yáng)電池的直流電轉(zhuǎn)變成交流電并入電網(wǎng),無(wú)需任何特殊的驅(qū)動(dòng)電路。此外,因?yàn)楣ぷ黝l率高于IGBT,碳化硅MOSFET可縮減電源設(shè)備的其它元器件的尺寸,從而降低電源成本,提高能效。
在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域,碳化硅器件有望大幅提高能效,降低汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)的尺寸。作為美國(guó)能源部與汽車(chē)工業(yè)的合作組織,美國(guó)汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)電氣電子技術(shù)研發(fā)小組呼吁,到2020年,將汽車(chē)動(dòng)力系統(tǒng)能耗降低大約二分之一,同時(shí)降低尺寸至少20%。該小組的開(kāi)發(fā)路線(xiàn)圖計(jì)劃將寬帶隙半導(dǎo)體材料即碳化硅技術(shù)列為提高功率轉(zhuǎn)換效率的重點(diǎn)技術(shù),并使該項(xiàng)技術(shù)能夠在更高的工作溫度下更安全可靠地工作。
與普通硅器件相比,意法半導(dǎo)體的碳化硅器件耐溫性能更高(200°C),從而有助于簡(jiǎn)化汽車(chē)?yán)鋮s系統(tǒng)的設(shè)計(jì)。SCT30N120的主要產(chǎn)品特性:
. 通態(tài)電阻(RDS(ON)):低關(guān)斷能量和柵電荷(確保高能效和高速開(kāi)關(guān)操作);在25°C時(shí)典型值為80mΩ;最高溫度至200°C的整個(gè)工作溫度范圍內(nèi)典型值≤100mΩ。
. 泄漏電流典型值低于10μA(比相同材料的其它器件提升系統(tǒng)能效和可靠性)。
. 快速且穩(wěn)健的基板原生二極管(節(jié)省外部續(xù)流二極管,降低成本和尺寸)。
. 簡(jiǎn)化柵驅(qū)動(dòng)電路(降低網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)成本)。
. 最高工作溫度高達(dá)200°C(縮減印刷電路板尺寸,簡(jiǎn)化熱管理系統(tǒng)設(shè)計(jì))。
供貨與報(bào)價(jià)
意法半導(dǎo)體的新產(chǎn)品1200V碳化硅功率MOSFETSCT30N120的樣片已經(jīng)上市,計(jì)劃于2014年6月投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品采用意法半導(dǎo)體獨(dú)有的HiP247封裝,該封裝外形尺寸與工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝相同,尤其針對(duì)耐高溫性能進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)。
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