【產(chǎn)通社，4月23日訊】三星電子有限公司（Samsung Electronics Co., Ltd.）消息，其和GLOBALFOUNDRIES已達成一項新的戰(zhàn)略合作計劃，以面向全球提供14納米FinFET工藝技術(shù)生產(chǎn)能力。這一行業(yè)最先進的14納米FinFET技術(shù)將首次在三星和GLOBALFOUNDRIES投產(chǎn)，從而從多個源頭為全球客戶提供供應(yīng)保障，且只基于真正的設(shè)計兼容性的供應(yīng)。此次新型合作將充分利用兩家企業(yè)全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造能力，批量生產(chǎn)將在韓國華城和德州奧斯汀的三星晶圓廠以及紐約州薩拉托加的GLOBALFOUNDRIES晶圓廠進行。

14納米FinFET工藝由三星開發(fā)并授權(quán)給GLOBALFOUNDRIES，是以備受推崇的技術(shù)平臺為基礎(chǔ)的，而這一平臺是高產(chǎn)量、高節(jié)能片上系統(tǒng)（SoC）設(shè)計的首選。該平臺充分利用全耗盡式三維FinFET晶體管的優(yōu)勢，克服了平面晶體管的局限性，將速度提高20%、耗能降低35%，以及相比20納米平面技術(shù)面積縮小15%。

該平臺是晶圓代工行業(yè)首度采用的FinFET技術(shù)，與20納米技術(shù)相比真正實現(xiàn)面積縮小。該技術(shù)具有更小的接觸式柵極間距，適用于更高的邏輯封裝密度和更小的SRAM位單元，從而滿足高級SOC中對內(nèi)存容量與日俱增的需求，同時還充分利用了20納米技術(shù)成熟的互連方案，從而通過降低風(fēng)險和最快的上市時間來呈現(xiàn)FinFET技術(shù)的眾多優(yōu)勢。

通過這一長達多年的獨家技術(shù)授權(quán)，工藝設(shè)計工具包（PDK）現(xiàn)已上市，客戶可藉此著手設(shè)計基于14納米FinFET測試芯片開發(fā)出的模型、設(shè)計規(guī)則手冊和技術(shù)文件。14納米FinFET技術(shù)的批量投產(chǎn)將于2014年年底進行。

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