【產(chǎn)通社，3月21日訊】升特公司（Semtech；納斯達克：SMTC）消息，其利用IBM的32nm SOI技術(shù)開發(fā)的64GSPS ADC和DAC初級核現(xiàn)已上市，可用于高性能片上系統(tǒng)（SoC）集成解決方案。此類器件可用于包括光通信、雷達和電子戰(zhàn)系統(tǒng)在內(nèi)的先進通信系統(tǒng)；基于低功耗、小面積區(qū)域的大瞬時帶寬，此類超高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器可使操作過程更加靈活，實現(xiàn)并行多波段/多波束運行，并可提供極高的動態(tài)性能，使之成為高度過采樣系統(tǒng)的理想選擇。

升特公司首席系統(tǒng)架構(gòu)師Craig Hornbuckle表示：“我們認為，利用IBM公司32nm SOI工藝及其獨特功能集開發(fā)出的先進ADC和DAC核足以應(yīng)對下一步高性能通信系統(tǒng)（如：400Gbps光系統(tǒng)和先進雷達系統(tǒng)）發(fā)展帶來的挑戰(zhàn)。同時，我們看到，現(xiàn)有射頻通信市場中出現(xiàn)的擴展應(yīng)用：高速數(shù)字邏輯電路正在替換那些傳統(tǒng)的靈活性差的模擬電路。”

產(chǎn)品特點

ADC核的面積為4mm2，DAC核的面積為2.2mm2。此類器件中包含一個寬調(diào)諧毫米波合成器，可以使ADC核或DAC核調(diào)整每個通道的采樣速率從42-68GS/s，并保持45飛秒均方根抖動值。一個完整的雙通道2×64GS/s ADC核每秒可產(chǎn)生1280億次模數(shù)轉(zhuǎn)換，總功耗為2.1瓦，而雙通道DAC核功耗為1.7瓦。此類器件可實現(xiàn)5.8有效位數(shù)，高達10GHz及大于43dB的SFDR。

此外，此類器件具有必要的BIST和校準(zhǔn)功能，因此用戶無需再進行復(fù)雜的生產(chǎn)測試或任務(wù)模式校準(zhǔn)運算。

供貨與報價

32nm數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器核是升特公司數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器核產(chǎn)品規(guī)劃中的首個產(chǎn)品，該規(guī)劃還包括用于14nm FinFET的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器核系列產(chǎn)品，有望于2015年底上市。

ADC和DAC核現(xiàn)已獲得相關(guān)許可，可作為IP核銷售。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.semtech.com。（The David James Agency, LLC）