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EPISTAR LAB發(fā)表IR 850nm高效率發(fā)光技術
2014/2/24 9:10:34     

【產通社,2月24日訊】晶元光電(EPISTAR Corporation)官網消息,其研發(fā)中心(EPISTAR LAB)近日成功開發(fā)并導入許多前瞻性技術,如新穎性透明導電薄膜(TCO)材料、復合式反射鏡結構、減少光線吸收之磊晶設計等。EPISTAR LAB將相關技術導入后,有效地增加光子萃取效率,已大幅提升IR產品效能,創(chuàng)下多項新紀錄。


產品特點


SFPN42芯片尺寸1×1mm²,實驗室環(huán)境中在操作電流40mA下,達最高光電轉換效率75%;操作電流350mA下WPE大于70%;1A操作電流下,發(fā)光強度更是超越了1W,達輸出功率1027mW,領先各業(yè)界群雄,如此亮眼的水平使LED更趨于省電節(jié)能。

IR 850nm產品的應用范圍除以往的搖控器、開關等傳統(tǒng)應用之外,也包括保全監(jiān)視、智能觸碰屏幕、無線通信及交通系統(tǒng)等新應用。


供貨與報價


查詢進一步信息,請訪問官方網站http://www.epistar.com.tw。

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