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HOLTEK推出HT45F4N和HT45FH4N閃存MCU
2014/2/14 9:06:10     

【產(chǎn)通社,2月14日訊】盛群半導體股份有限公司(Holtek Semiconductor Inc.)官網(wǎng)消息,其針對Power Bank領(lǐng)域,推出了1.5代Power Bank Flash版本的MCU HT45F4N、HT45FH4N。與第1代的Power Bank MCU相比,新產(chǎn)品增加了更多的資源及更多的腳位,更適合Power Bank帶LED數(shù)碼管及LCD屏顯示等應用。


產(chǎn)品特點


HT45F4N、HT45FH4N具備4K×16 Flash Program ROM、192B Data RAM、64B Data EEPROM、工作電壓2.55-5.50V、系統(tǒng)頻率可選最佳為30MHz/4,內(nèi)建精準RC Oscillator (HIRC 30MHz),內(nèi)建14個通道12bit ADC、3個10bit PTM,其中2個用于產(chǎn)生互補式PWM輸出,可用于2路獨立的DC to DC升壓及降壓等應用、1個16bit CTM Timer、1個過電壓及欠壓保護電路、2個過電流保護電路、LVD與LVR用于偵測系統(tǒng)電壓,若系統(tǒng)電壓低于LVR值時系統(tǒng)將產(chǎn)生重置,以避免系統(tǒng)工作電壓低于操作電壓可能造成的不穩(wěn)定狀態(tài)。

HT45F4N、HT45FH4N針對Power Bank應用,可完整支持電池充電及放電功能。互補式PWM輸出則是用來直推外部PMOS及NMOS,提供電池在充放電的過程中,可以做到同步整流的功能,使功耗的損失降至最低,提升了Power Bank的效率。

HT45FH4N額外提供內(nèi)部5V LDO輸出,且其互補式PWM輸出則可透過Level Shift轉(zhuǎn)換輸出到高壓,用于驅(qū)動外部PMOS及NMOS,降低PMOS及NMOS的導通阻抗。


供貨與報價


HT45F4N、HT45FH4N提供28SSOP封裝,對于Power Bank應用非常適合,且本產(chǎn)品如同Holtek其他8bit MCU,具有符合工業(yè)規(guī)格與高抗噪聲特性。查詢進一步信息,請訪問官方網(wǎng)站http://www.holtek.com.cn

    (完)
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