意法半導體（紐約證券交易所：STM)12月4日宣布，采用70nm制造工藝的NAND閃存產(chǎn)品全線上市。512Mbit(小頁)和1/2/4/8-Gbit(大頁)閃存升級到ST的先進的70nm制造工藝，使該系列產(chǎn)品進入NAND閃存技術(shù)的最先進行列，升級后的產(chǎn)品價格低廉，功耗更小。
    高密度的存儲器芯片為各種計算機和消費電子應(yīng)用產(chǎn)品提供海量數(shù)據(jù)存儲功能，例如，數(shù)碼相機、PDA、GPS導航系統(tǒng)、閃存卡和U盤、打印機、機頂盒（STB）、數(shù)字電視機、汽車多媒體系統(tǒng)和多媒體手機。該系列全部產(chǎn)品都具有速度極快的數(shù)據(jù)傳輸和擦除功能。該系列產(chǎn)品的尋址線路和數(shù)據(jù)輸入/輸出通過一條8位或16位總線傳輸信號，這種多路復用技術(shù)不僅可以減少封裝引腳的數(shù)量，還允許系統(tǒng)使用一個模塊化的NAND接口，無需改變芯片的占板面積即可使系統(tǒng)自動適應(yīng)高密度或低密度閃存。
    ST還為新的存儲器芯片提供一套軟件工具，幫助用戶快速開發(fā)使用新閃存芯片的應(yīng)用產(chǎn)品，同時還能延長產(chǎn)品的使用壽命。工具包括糾錯代碼(ECC)軟件；識別失敗的擦寫操作并將無效存儲塊上的數(shù)據(jù)復制到有效區(qū)塊的壞塊管理(BBM)；通過在所有的存儲塊中分配擦寫操作減緩芯片老化的平均讀寫算法；文件系統(tǒng)OS本機參考軟件；硬件仿真模型。
    存儲器由按頁讀寫的存儲塊組成。每個存儲頁都預留一個備用空間，通常用于糾錯代碼、軟件標記或壞塊識別。數(shù)據(jù)復制程序模式可以把存在某一頁的數(shù)據(jù)直接寫到另一頁中，無需任何額外的緩存空間。新產(chǎn)品還提供一個擦除時間僅2ms的存儲塊擦除指令。每個存儲塊額定擦寫循環(huán)100,000 次，數(shù)據(jù)保存期限10年。
    新產(chǎn)品具有“無需介意芯片啟動”（Chip Enable Don’t Care）功能，這個功能可以簡化微控制器的接口設(shè)計，以及NAND閃存與其它類型存儲器（NOR閃存和xRAM）的整合方法。在代碼和工作內(nèi)存采用速度更快的存儲器，而大容量文件存儲采用成本更加低廉、密度更高的NAND閃存的應(yīng)用中，不同類型的存儲器芯片整合在一個封裝內(nèi)是最常用的解決方案。
    訂貨100,000件，參考價格在3美元到18美元之間，具體價格取決于產(chǎn)品密度和配置。