【產(chǎn)通社，11月7日訊】恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors；Nasdaq: NXPI）官網(wǎng)消息，其首款采用1.1×1×0.37mm超薄DFN（分立式扁平無引腳）封裝的晶體管具有很低的RDson和VCesat基準(zhǔn)值，可將電流能力最高提升至3.2A的低飽和通用晶體管，非常適用于空間受限的便攜式應(yīng)用中的電源管理和負(fù)載開關(guān)，這是因?yàn)橥庑未笮�、功率密度和效率在這些應(yīng)用中都是極為關(guān)鍵的因素。

恩智浦半導(dǎo)體公司晶體管產(chǎn)品經(jīng)理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封裝內(nèi)達(dá)到如此高的漏極和集極電流值是前所未有的。通過這一里程碑式的突破，恩智浦會(huì)繼續(xù)挑戰(zhàn)MOSFET和雙極性晶體管在超緊湊封裝和性能方面的極限。”

產(chǎn)品特點(diǎn)

全新產(chǎn)品系列采用兩種封裝：?jiǎn)尉FN1010D-3(SOT1215)封裝，功耗最高達(dá)到1W，具有可焊鍍錫側(cè)焊盤的特性。這些側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì)，與傳統(tǒng)無鉛封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好，因此能滿足嚴(yán)格的汽車要求。雙晶封裝DFN1010B-6(SOT1216)，占用空間僅為1.1mm²，是雙晶體管可采用的最小封裝。

采用DFN1010封裝的產(chǎn)品可以替代許多WL-CSP器件。另外，該封裝也可以取代體積更大的DFN封裝和標(biāo)準(zhǔn)含鉛SMD封裝（例如達(dá)到其八倍體積的SOT23），同時(shí)提供同等甚至更為出色的性能。全新產(chǎn)品組合的主要特點(diǎn)：
 . 1.1×1×0.37mm超小扁平封裝
 . 功耗(Ptot)最高達(dá)到1W
 . 采用可焊鍍錫側(cè)焊盤，貼裝性能更好，符合汽車應(yīng)用要求
 . 單通道和雙通道MOSFET（N溝道/P溝道）
 . RDSon值低至34mOhm
 . ID最高達(dá)到3.2A
 . 電壓范圍為12V至80V
 . 1kV ESD保護(hù)
 . 低VCEsat (BISS)單晶體管
 . VCEsat值低至70mV
 . 集極電流(IC)最高達(dá)到2A，峰值集極電流(ICM)最高達(dá)到3A
 . VCEO范圍為30V至60V
 . 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)
 . 雙通道NPN/PNP配電阻（數(shù)字）晶體管（100mA，R1=R2=47kOhm/符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)）
 . 通用單晶體管和雙晶體管
 

供貨與報(bào)價(jià)

采用DFN1010封裝的全新晶體管現(xiàn)已量產(chǎn)，即將上市。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.nxp.com。