全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商——國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR)11月22日推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，采用IR標準的DirectFET封裝技術(shù)結(jié)合IR最新的200V HEXFET MOSFET硅技術(shù)，可實現(xiàn) 95%的效率。
    IR新推出的200V DirectFET器件是應(yīng)用于專為36-75V通用輸入范圍內(nèi)操作的隔離式 設(shè)計DC-DC轉(zhuǎn)換器。其超低的51mΩ典型10V導(dǎo)通電阻RDS(on)及減低了的柵極電荷，使IRF6641TRPbF特別適合應(yīng)用于高效同步整流MOSFET、推動大電流負載的高頻及高效的DC-DC轉(zhuǎn)換器、新一代中間總線轉(zhuǎn)換器、DC馬達驅(qū)動器，以及為風(fēng)力渦輪轉(zhuǎn)換功率的48V變頻器的同步整流。在48V通用輸入電壓范圍內(nèi)操作的計算機及電信服務(wù)器的大電流AC-DC轉(zhuǎn)換器也可以采用新器件進行同步整流。
    IR亞太區(qū)高級銷售總監(jiān)曾海邦表示：“我們最新的200V DirectFET MOSFET的電流額定值達到25安培，但面積僅與0.7毫米高度的SO-8封裝產(chǎn)品相同，同時也能把柵極電荷和封裝電感降至最低，從而減少導(dǎo)通和開關(guān)損耗。一顆DirectFET MOSET就能比較兩顆或三顆SO-8器件節(jié)省超過50%的空間。”
    IR的新器件在諸多應(yīng)用上都能提供卓越的表現(xiàn)。IRF6641TRPbF與其他采用次級同步整流插座的增強SO-8器件相比，當(dāng)每個插座所使用的增強SO-8器件的數(shù)目相同時，新的DirectFET器件的效率可提高0.4% 。此外，當(dāng)每個插座使用兩個增強SO-8器件時，IR的新器件也能提供同樣7安培的電流和滿載效率。在同一項分析中，每個插座如果采用兩顆IRF6641TRPbF器件的電路，MOSFET溫度是最低的。
    新器件有一個共用MZ占位面積，可以方便地將應(yīng)用轉(zhuǎn)換至其他中電壓DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加電流電平和更低電壓的100V IRF6662器件。
    IR已獲專利的DirectFET MOSFET封裝具有以往標準塑料分立封裝所不能提供的全新設(shè)計優(yōu)點。其金屬罐結(jié)構(gòu)可提供雙面冷卻功能，使應(yīng)用于驅(qū)動先進微型處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。此外，DirectFET封裝內(nèi)的器件均符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定(RoHS)。    （完）