【產(chǎn)通社，6月15日訊】東芝公司（Toshiba Corporation；TOKYO:6502）消息，其開發(fā)出了全球首款掩膜式只讀存儲(chǔ)器（MROM）單元，以提供更好的單元電流特性，并且單元尺寸不會(huì)增加。這一進(jìn)展是通過采用多層單元結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)還可以保證高速運(yùn)轉(zhuǎn)。

產(chǎn)品特點(diǎn)

MROM的主要作用是存儲(chǔ)引導(dǎo)裝載程序或固件。智能手機(jī)和平板電腦等數(shù)字應(yīng)用的SoC部署的MROM密度正逐年增加，為了縮短存取時(shí)間，有必要將每一代的MROM單元尺寸減半。

在典型的MROM位單元（單層單元）中，隨著SoC工藝技術(shù)的進(jìn)步，制造方面的變化不斷增多，并且單元晶體管的溝道面積不斷縮小。因此40納米一代的存取時(shí)間比先前一代工藝有所增加。縮短存取時(shí)間需要更大的晶體管，因?yàn)楦蟮膯卧娣e可以保證更大的溝道面積。

東芝已經(jīng)開發(fā)了一種使用面積達(dá)到標(biāo)準(zhǔn)單層單元兩倍的多位單元，使單元晶體管中的溝道寬度成功擴(kuò)大了三倍。這也使得單元的電流特性提升了三倍，并且單位面積存儲(chǔ)容量未發(fā)生任何變化。它使得制造變化的影響降低了42%。

供貨與報(bào)價(jià)

東芝已經(jīng)使用40納米一代工藝開發(fā)了MROM單元，并計(jì)劃于2014年為部署該單元的數(shù)字應(yīng)用交付SoC。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.toshiba.co.jp/index.htm。（Business Wire）