【產(chǎn)通社，6月11日訊】聯(lián)華電子（UMC）消息，其0.18微米至28納米制程平臺將采用力旺電子獨特開發(fā)的OTP (One-Time-Programmable embedded non-volatile memory, 單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存) 及MTP (Multiple-Times-Programmable embedded non-volatile memory, 多次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存) 技術，布建范圍橫跨成熟與先進制程，不僅可提供客戶全方位之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存解決方案，并展現(xiàn)聯(lián)華電子掌握尖端制程優(yōu)勢，積極擴展eNVM全方位技術版圖之決心。

聯(lián)華電子與力旺電子自2006年開始展開了長期的合作，聯(lián)華電子將力旺電子單次可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術成功布建于其0.18微米以下之制程平臺，至今已創(chuàng)造許多佳績。力旺電子之eNVM技術應用相當廣泛，涵蓋智能型手機與平板計算機之電源管理芯片、高階液晶顯示器驅動芯片、觸控面板控制芯片、電源計量芯片、傳感器控制芯片、音訊編譯碼芯片與近場無線通訊芯片等各項主流消費性電子產(chǎn)品領域。

此次擴展合作范圍，聯(lián)華電子除擴增采用力旺電子之OTP技術，更擴大導入MTP技術領域，將能以更完整之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存制程平臺，強化技術服務支持廣度，滿足更多不同客戶需求。搭配聯(lián)華電子在先進制程的布局，亦已為力旺電子在28、40奈米之制程平臺保留了絕佳的參與位置與發(fā)展舞臺。

力旺電子近年來致力于全方位的可程序嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存之技術開發(fā)，目前產(chǎn)品線包括NeoBit、NeoFuse、NeoMTP、NeoFlash、NeoEE等系列性技術與硅智財，為業(yè)界少見能夠于OTP及MTP嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術領域，提供全方位完整布局之硅智財廠商。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.umc.com。(Judy Jin)