【產(chǎn)通社，5月22日訊】東芝公司（Toshiba；TOKYO:6502）消息，其已經(jīng)開發(fā)出第二代19納米工藝技術(shù)，將于本月晚些時候用于量產(chǎn)每單元2bit的64Gbit NAND存儲芯片。NAND閃存是存儲卡、智能手機、平板電腦和筆記本電腦等多元化消費品系列的基本構(gòu)成元素，并越來越多地被部署到企業(yè)產(chǎn)品中，包括數(shù)據(jù)中心的固態(tài)硬盤。

產(chǎn)品特點

東芝已經(jīng)使用該新一代技術(shù)開發(fā)出全球最小的每單元2bit（2bit-per-cell）的64Gbit NAND存儲芯片，芯片面積只有94平方毫米。新一代芯片采用了獨特的高速寫入方法，寫入速度可高達25Mbps，是全球速度最快的每單元2bit芯片。

東芝還在利用該工藝技術(shù)開發(fā)每單元3bit芯片，并計劃在本財年第二季度投入量產(chǎn)。該公司最初將通過開發(fā)一種與eMMC兼容的控制器，為智能手機和平板電腦推出3bit的多級單元產(chǎn)品，隨后會通過開發(fā)與固態(tài)硬盤(SSD)兼容的控制器，將產(chǎn)品的應(yīng)用范圍擴大到筆記本電腦領(lǐng)域。

供貨與報價

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