2007年12月4日，在SEMICON Japan 2007開幕的前一天，中微公司(AMEC)在日本東京舉行新聞發(fā)布會，宣布其擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的、用于65及45納米的高端芯片加工設(shè)備------Primo D-RIE（去耦合反應(yīng)離子刻蝕）設(shè)備及Primo HPCVD（高壓熱化學(xué)沉積）設(shè)備，正式進(jìn)入全球半導(dǎo)體主流設(shè)備市場。

TOSHIBA公司執(zhí)行副總裁、電子裝置及部件部CEO Masashi Muromachi在新聞發(fā)布會上作了精彩的演講，他表示：“TOSHIBA對新設(shè)備供應(yīng)商的產(chǎn)品持開放的態(tài)度，只要新產(chǎn)品在技術(shù)、產(chǎn)能、價格等方面比原有設(shè)備有大幅提升，能夠滿足我們的要求，我們都愿意考慮。”

中微此次推出的兩款設(shè)備分別應(yīng)用于關(guān)鍵的氧化物等介電質(zhì)刻蝕，和淺槽隔離沉積及前金屬電介質(zhì)沉積，設(shè)備經(jīng)過了中微公司歷時兩年半的精心設(shè)計和反復(fù)論證。這兩種設(shè)備獨(dú)特的小批量多反應(yīng)器系統(tǒng)，使其與同類產(chǎn)品相比輸出產(chǎn)率提高了35%以上，加工每片芯片的成本平均節(jié)省35%，并在芯片加工中有更優(yōu)異的性能。目前，中微公司的一臺電介質(zhì)刻蝕設(shè)備和一臺高壓熱化學(xué)沉積設(shè)備已經(jīng)在客戶的生產(chǎn)線上進(jìn)行試用，更多的設(shè)備正準(zhǔn)備運(yùn)往亞洲各地區(qū)先進(jìn)的Fab廠上線試運(yùn)。

“半導(dǎo)體芯片工業(yè)對降低成本的要求不斷提高，成本問題已經(jīng)成為決定芯片制造公司能否成功的關(guān)鍵之一�！敝形⒐径麻L和首席執(zhí)行官尹志堯博士在新聞發(fā)布會上表示，“芯片制造業(yè)要求更先進(jìn)的技術(shù)和更高性能的半導(dǎo)體設(shè)備，以制造更先進(jìn)的芯片，滿足新一代電子產(chǎn)品的需求。中微公司通過技術(shù)創(chuàng)新和成本控制來滿足這些要求。而且我們以亞洲為基地的新經(jīng)營模式為我們和客戶更好地合作提供了地理優(yōu)勢，也使我們能夠充分利用這一區(qū)域的成本優(yōu)勢。”

據(jù)Gartner所掌握的數(shù)據(jù)顯示，66% 的半導(dǎo)體器件、75% 的半導(dǎo)體設(shè)備銷售在亞洲，這使得亞洲成為世界半導(dǎo)體芯片制造業(yè)的中心和半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)的熱土。因此，中微將其長期策略定位在以中國和亞洲為基礎(chǔ)，目前除在上海建有制造和研發(fā)基地外，已在日本、韓國、臺灣、新加坡設(shè)有分公司，提供銷售和技術(shù)支持服務(wù)。

中微公司Primo系列產(chǎn)品是為滿足日益增長的先進(jìn)芯片制造要求，和高輸出量及低成本的要求而設(shè)計的新一代半導(dǎo)體設(shè)備。產(chǎn)品主要包括：

Primo D-RIE 介電質(zhì)刻蝕設(shè)備

300毫米，多反應(yīng)室，雙反應(yīng)臺/室系統(tǒng)。具有單晶片獨(dú)立加工環(huán)境。 此設(shè)備擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的甚高頻和低頻混合射頻去耦合反應(yīng)離子刻蝕的等離子體源，可加工65/45納米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造�？涛g機(jī)的應(yīng)用包括極深接觸孔刻蝕、硬模板刻蝕、金屬接觸孔刻蝕、淺槽刻蝕等各種介電質(zhì)刻蝕。

系統(tǒng)特點(diǎn)及技術(shù)優(yōu)勢：
• 去耦合反應(yīng)離子刻蝕和穩(wěn)定的射頻系統(tǒng)設(shè)計，提供了對離子濃度和離子能量的分別控制，也達(dá)到了有效的關(guān)鍵尺度控制。
• 獨(dú)特的射頻輸入和對稱分布可對刻蝕過程和芯片內(nèi)刻蝕均勻度達(dá)到精密控制。
• 具有自主知識產(chǎn)權(quán)的雙重等離子體聚焦使刻蝕過程更為穩(wěn)定和可靠，并使雜質(zhì)微粒數(shù)降到最低。
• 每個反應(yīng)臺獨(dú)立的射頻發(fā)生器，各反應(yīng)臺均勻度的分別控制和刻蝕終點(diǎn)控制，使得每片晶圓可以在獨(dú)立的反應(yīng)環(huán)境中被刻蝕處理，達(dá)到最佳結(jié)果。這是業(yè)界第一次在同一機(jī)臺上實(shí)現(xiàn)單芯片或雙芯片加工隨意轉(zhuǎn)換成為可能。
• 雙射頻的下電極輸入提供了穩(wěn)定，可靠的等離子體濃度和離子能量， 從而使刻蝕過程穩(wěn)定，可重復(fù)，并且使各反應(yīng)臺加工結(jié)果一致。
• 擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，具有快速，穩(wěn)定，可靠的調(diào)諧能力自隔離射頻匹配裝置
• 反應(yīng)室內(nèi)壁選用高純度，耐等離子體特殊材料。開發(fā)最佳的材料加工過程，大大降低損耗。將雜質(zhì)微粒數(shù)降到最低。
• 上部電極直接加熱和閉環(huán)控制確保了精確快速的晶片處理溫度環(huán)境控制
• 系統(tǒng)可安裝多達(dá)3個反應(yīng)器，包括6個單晶片反應(yīng)臺，在占用較少潔凈室空間的同時，大大提高了芯片加工的輸出量。
• 模板化系統(tǒng)構(gòu)架使得安裝和維護(hù)都變得更為便捷。

Primo HPCVD 高壓熱化學(xué)沉積設(shè)備

300毫米，多反應(yīng)室，4反應(yīng)臺/室系統(tǒng)。具有單晶片獨(dú)立加工環(huán)境。 此設(shè)備擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的最新設(shè)計，可加工65/45納米芯片，并可延伸到下一代更高端芯片制造。化學(xué)沉積的應(yīng)用包括淺槽隔絕填充和前金屬電介質(zhì)沉積。

系統(tǒng)特性及技術(shù)優(yōu)勢：
• 有自主知識產(chǎn)權(quán)的多通道氣體分配系統(tǒng)提高了沉積速度，改善了無空洞介質(zhì)填充，同時有效控制了微粒雜質(zhì)
• 有自主知識產(chǎn)權(quán)的動態(tài)晶片加熱器提高了晶片內(nèi)和晶片間的溫度均勻度控制
• 獨(dú)特的液體注入氣化裝置有效降低了雜質(zhì)微粒的生成，提供了更高效的液體流量控制
• 系統(tǒng)可安裝多達(dá)3個反應(yīng)器，包括12個單晶片反應(yīng)臺，在占用更少潔凈室空間的同時，大大提高了芯片輸出量。
• 模板化系統(tǒng)構(gòu)架使得安裝和維護(hù)都變得更為便捷。

中微公司是一家以亞洲為基地的新興的半導(dǎo)體設(shè)備公司。公司致力于通過技術(shù)創(chuàng)新，為全球先進(jìn)的芯片生產(chǎn)廠家提供一系列因提高產(chǎn)能而降低制造成本的高端芯片生產(chǎn)設(shè)備。中微公司戰(zhàn)略性地將總部設(shè)在全球半導(dǎo)體芯片制造工業(yè)最集中的地區(qū)，提供獨(dú)特的、擁有技術(shù)創(chuàng)新和低成本解決方案的等離子刻蝕和化學(xué)薄膜沉積設(shè)備，為65和45納米以及更高端的芯片制造提供客戶滿意的技術(shù)支持。中微公司的全球布局包括在中國、日本、韓國、臺灣、新加坡等地設(shè)立研發(fā)、制造、銷售和客戶服務(wù)機(jī)構(gòu)。