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臺積電1.4nm制程無需High NA EUV技術
2025年6月5日    
【產通社,6月4日訊】在荷蘭阿姆斯特丹,臺積電的一位高層近日于公司2025年技術論壇歐洲場活動中發(fā)表了一項引人關注的觀點。資深副總經理兼副聯(lián)席首席運營官張曉強指出,對于當前最尖端的制程技術,引入High NA EUV(極紫外光刻)技術并非當務之急。

張曉強詳細闡述了臺積電最新的1.4nm邏輯制程A14。他強調,即便沒有采用High NA EUV圖案化設備,A14制程的性能提升依然顯著。他進一步透露,臺積電的技術團隊正不斷努力,通過工藝優(yōu)化來拓寬Low NA EUV技術的應用范圍。只要這一技術路徑能夠持續(xù)取得進展,臺積電認為在量產中引入成本高昂的ASML High NA EUV設備便顯得沒有必要。

張曉強還提及了業(yè)界對High NA EUV技術的整體態(tài)度。他指出,在三大先進制程廠商中,雖然有一家國際同行對High NA EUV技術表現(xiàn)出了最為積極的態(tài)度,但在實際生產中,這家廠商也表現(xiàn)出了謹慎的傾向。特別是在與臺積電A14制程相近的某個14A工藝節(jié)點上,該廠商也提供了是否使用High NA EUV技術的不同方案選擇。

這一表態(tài)不僅反映了臺積電在先進制程技術路線上的自信,也揭示了整個半導體行業(yè)在追求更高精度和更低成本之間的微妙平衡。隨著技術的不斷進步,如何在保證性能的同時,有效控制成本,成為了所有廠商必須面對的重要課題。(Robin Zhang,產通數(shù)造)    
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