【產(chǎn)通社，9月27日訊】羅姆株式會(huì)社（ROHM Semiconductor）預(yù)測(cè)，硅電容器的市場(chǎng)規(guī)模將在2030年增長(zhǎng)至3000億日元，約達(dá)到2022年規(guī)模的1.5倍。

隨著智能手機(jī)等應(yīng)用的功能增加和性能提升，業(yè)界對(duì)于支持更高安裝密度的小型元器件的需求日益高漲。硅電容器采用薄膜半導(dǎo)體技術(shù)，與多層陶瓷電容器（MLCC）相比，具有厚度更薄且電容量更大的特點(diǎn)。由于其穩(wěn)定的溫度特性和出色的可靠性，這種產(chǎn)品的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。

因此，ROHM采用年來(lái)積累的硅半導(dǎo)體加工技術(shù)開(kāi)發(fā)出小型且高性能的硅電容器，可應(yīng)用于智能手機(jī)和可穿戴設(shè)備等領(lǐng)域。利用ROHM多，新產(chǎn)品同時(shí)實(shí)現(xiàn)了更小的尺寸和更高的性能。ROHM的硅電容器采用能以1μm為單位進(jìn)行加工的自有微細(xì)化技術(shù)RASMID，消除了外觀成型過(guò)程中的缺陷，并實(shí)現(xiàn)了±10μm以內(nèi)的高精度尺寸公差。由于產(chǎn)品尺寸波動(dòng)很小，因此能夠支持更窄的安裝間距；另外通過(guò)將連接電路板的背面電極擴(kuò)大至封裝的邊緣部位，還提高了安裝強(qiáng)度。

另外，ROHM還將致力于開(kāi)發(fā)適用于服務(wù)器等工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的產(chǎn)品，以進(jìn)一步擴(kuò)大應(yīng)用范圍。（Lisa WU, 鐠媒體）