【產通社，5月23日訊】無畏新冠肺炎疫情的肆虐，長江存儲4月13日研發(fā)成功128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070），同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），并表示“這將開創(chuàng)一個嶄新的商業(yè)生態(tài)�！�

那么，與英特爾（Intel）、三星、美光（Micron Technology）、SK海力士相比，X2-6070在全球到底處于哪個層面？

長江存儲表示，作為業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，X2-6070擁有業(yè)內已知型號產品中最高單位面積存儲密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND閃存芯片容量，已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產品上通過驗證。

得益于Xtacking架構對3D NAND控制電路和存儲單元的優(yōu)化，長江存儲64層TLC產品在存儲密度、I/O性能及可靠性上都有不俗表現，上市之后廣受好評。在128層系列產品中，Xtacking已全面升級至2.0，進一步釋放3D NAND閃存潛能。

在I/O讀寫性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq電壓下實現1.6Gbps（Gigabits/s）的數據傳輸速率，為當前業(yè)界最高。由于外圍電路和存儲單元分別采用獨立的制造工藝，CMOS電路可選用更先進的制程，同時在芯片面積沒有增加的前提下Xtacking 2.0還為3D NAND帶來更佳的擴展性。

目前，長江存儲已成功研發(fā)128層兩款產品，為今后3D NAND行業(yè)發(fā)展探索出一條切實可行的路徑。


三星、美光、SK海力士已在2019年發(fā)布128層3D NAND閃存芯片


早在去年底，三星、美光、SK海力士均發(fā)布了128層3D NAND閃存芯片，已經將NAND閃存的堆疊之爭推進到了新的層級）——128層。

2019年10月初，美光宣布第一批第四代3D NAND存儲芯片流片出樣。第四代3D NAND基于美光的RG架構，采用128層工藝，預計2020年開始商用。在“Mircon Insight2019”技術大會上，美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官Sumit Sadana表示，128層3D NAND如果被廣泛使用，將大大降低產品每比特成本。

SK海力士也在2019年11月宣布開始出樣128層3D NAND閃存產品，該產品不久將開始出現在最終用戶設備中。一年前，SK海力士推出了96層3D NAND產品。

相比而言，三星的動作更快。2019年8月，三星即宣布推出首個100+層的新一代3D NAND閃存。據三星介紹，該產品采用“通道孔蝕刻”技術，使前代96層的堆疊架構增加了約40%的存儲單元。同時，三星還優(yōu)化了電路設計，使其可實現最快的數據傳輸速度，寫入操作的數據傳輸速度低于450μs，讀取速度低于45μs。

從進度表來看，128層3D NAND需要到2020年才能大量進入企業(yè)存儲市場，逐漸成為主流。


英特爾144層3D QLC閃存SSD年底出貨


英特爾非易失性存儲解決方案負責人Rob Crooke本月初表示，其QLC SSD出貨量已超1000萬，而基于144層3D QLC閃存的SSD會在今年底出貨，并且Intel準備在2021年內將整個SSD產品線都遷移到144層閃存芯片上。

英特爾的內存和存儲產品部門現在擁有一個完全獨立的NAND閃存技術開發(fā)團隊，該團隊與美光科技（Micron Technology）分拆后成為該公司的一部分，后者是IMFlash Technologies合資企業(yè)的一部分。

除此以外，Intel表示容量密度更高的PLC閃存（5bit/cell）也在緊張研發(fā)中，該技術應將密度提高25%。英特爾也即將推出其第二代3D X點存儲技術。


探索出一條切實可行的路徑


QLC是新一代3D NAND技術，降低了NAND閃存單位字節(jié)（Byte）的成本，更適合作為大容量存儲介質。與傳統(tǒng)HDD相比，QLC SSD更具性能優(yōu)勢。在企業(yè)級領域，QLC SSD將為服務器和數據中心帶來更低的讀延遲，使其更適用于AI計算，機器學習，實時分析和大數據中的讀取密集型應用。在消費類領域，QLC將率先在大容量U盤，閃存卡和SSD中普及。 

由于存儲芯片具有高度標準化的特性，且品種單一，較難實現產品的差異化。這導致各廠商需要在工藝技術和生產規(guī)模上比拼競爭力。因此，每當市場格局出現新舊轉換時，廠商往往打出技術牌，以期通過新舊世代產品的改變，提高產品密度，降低制造成本，取得競爭優(yōu)勢，這也是NAND廠商近期拼殺QLC技術的主因。

產通社產業(yè)分析師楊棋表示，單從技術上看，長江存儲的NAND閃存與國際大廠處于同一世代。但考慮到基礎工藝和量產能力，中國存儲產業(yè)仍然弱小，實際差距遠不能“世代”表示，量產成品率、產能爬坡速度等才是真正的攔路虎。（Jack Zhang，深圳產通互聯網）