【產(chǎn)通社，9月23日訊】2016中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展研討會暨第19屆中國集成電路制造年會9月20日在廈門召開。長江存儲科技有限責任公司總經(jīng)理楊士寧博士作為嘉賓出席并發(fā)表演講，闡述了他對存儲器領(lǐng)域的見解，并介紹了長江存儲在該領(lǐng)域的進展。他指出，存儲產(chǎn)業(yè)目前面臨空前的挑戰(zhàn)和機遇，長江存儲力求把握歷史機遇，以3D NAND為突破點，進軍大規(guī)模存儲器領(lǐng)域。
 
楊士寧博士首先開門見山地表明，長江存儲的主攻方向，就是大規(guī)模存儲器領(lǐng)域，也就是目前占存儲器產(chǎn)業(yè)總產(chǎn)值95%的DRAM和NAND Flash。這并不是一件容易的事情。楊士寧以目前市場最大的幾種IC產(chǎn)品MPU（Micro- Processing Unit）、DRAM、NAND Flash和MCU為例，他介紹，根據(jù)IC Insights的統(tǒng)計數(shù)據(jù)，這幾種產(chǎn)品都被行業(yè)內(nèi)的少數(shù)幾家國際巨頭壟斷了絕大部分市場，這種不平衡是不太健康的�！爸髁� IC 領(lǐng)域已沒有容易干的活，挑戰(zhàn)是空前的。”

但是，楊士寧認為，存儲產(chǎn)業(yè)一定需要平衡者，這反而也給我們帶來了機遇。目前，集成電路市場的55%位于中國，資金和政策也愿意支持企業(yè)度過積累期�！拔艺J為，如果有好的項目、好的機制，人才在國內(nèi)聚集的可能性是相當大的。”

有了機遇，不一定代表會成功。面對如此艱巨的任務(wù)，楊士寧分享了自己的見解：成功的必要條件可以歸納為“找對人、砸對錢、做對事”�！罢覍θ恕笔侵敢獙ふ矣行貞�、有勇氣、有實干精神、有成功記錄的人。“砸對錢”，是指投資要超前，要投入先進技術(shù)的研發(fā)�！凹呻娐沸袠I(yè)如果保持現(xiàn)在飛速發(fā)展、幾年翻一番的態(tài)勢，那我們很容易落后。如果落后5年以上，基本就沒有競爭力了�！薄白鰧κ隆眲t是要建立國際化的體制，以自主研發(fā)為主、國際合作為輔的方式，“陣地戰(zhàn)”中穿插“運動戰(zhàn)”，參與市場化競爭。

 在市占率最大的兩種半導(dǎo)體存儲器DRAM和NAND Flash中，長江存儲果斷地選擇了NAND Flash，并且是新興的3D NAND。楊士寧透露了公司當初的考量，“DRAM和NAND Flash是密不可分的，在很多產(chǎn)品中這兩者都需要。但是，從企業(yè)營運的角度來看，先從DRAM還是3D NAND入手，不僅是個技術(shù)問題，還是個經(jīng)濟問題。選擇DRAM多出兩個額外的難度：第一，競爭對手有大量折舊完的產(chǎn)能；第二，DRAM的需求增長相對緩慢。因此，在DRAM領(lǐng)域，我認為合理的做法是并購現(xiàn)有產(chǎn)能。”

反觀閃存，楊士寧介紹，閃存存儲單元技術(shù)正在演變，由傳統(tǒng)的浮柵結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)變?yōu)榄h(huán)形柵電荷俘獲（Charge Trap）結(jié)構(gòu)，而電荷俘獲正是長江存儲的技術(shù)優(yōu)勢之一�！伴L江存儲需要一個突破點。因此我們選擇了3D NAND，我們需要做的，就是制造出三維的電荷俘獲存儲器。這種結(jié)構(gòu)在具備高性能的同時，還兼有低成本的特點，因此很有優(yōu)勢�！睏钍繉庍�展示了幾組數(shù)據(jù)，以此說明3D NAND將快速取代2D NAND，并可能在折舊期內(nèi)盈利。

選擇3D NAND還有一個重要原因：全球除了一家企業(yè)比較領(lǐng)先，其余參與者都處在“混戰(zhàn)”的階段�！盎鞈�(zhàn)對新玩家比較有利。研發(fā)的難度高、困難大，但這也是一種機遇的體現(xiàn)�！�

隨后，楊士寧博士介紹了長江存儲在3D NAND領(lǐng)域的最新情況。公司于2014年8月開啟3D NAND項目，與國際合作伙伴共同研發(fā)。自從2015年5月第一個測試芯片通過電學驗證以來，溝道電流、存儲單元性能及可靠性不斷得到提升。并且，長江存儲在更高疊層的產(chǎn)品工藝研發(fā)上也取得了更多的突破性進展。

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