【產(chǎn)通社，4月2日訊】SEMI消息，摩爾定律（Moore’s Law）將在未來(lái)的十年持續(xù)發(fā)展，但每單位晶體管成本下跌的速度將隨之減緩，無(wú)法再像過(guò)去一樣快速降低了。

新思科技董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Aart de Geus表示，芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜，逐漸推遲向更大晶圓的過(guò)渡，但也為其他替代技術(shù)開(kāi)啟了大門。

Aart de Geus表示，“評(píng)判的標(biāo)準(zhǔn)將取決于每個(gè)晶體管成本降價(jià)的速度有多快這同時(shí)也會(huì)是良率能多快提升的函數(shù)。隨著晶體管降價(jià)速度減緩，半導(dǎo)體的價(jià)格很可能就必須提高，才能使芯片制造商得以回收投資。

目前，對(duì)于未來(lái)節(jié)點(diǎn)的每晶體管成本資料掌握有限。根據(jù)以往的發(fā)展經(jīng)驗(yàn)，業(yè)界將能持續(xù)看到成本下降。由于缺少下一代微影工具，晶圓廠自20nm起就必須為一些芯片層進(jìn)行兩次圖樣（pattern）過(guò)程。但微影技術(shù)僅占芯片制造成本的四分之一。不過(guò)，由于利潤(rùn)并沒(méi)那么高，業(yè)界將竭盡所能的利用目前的28nm節(jié)點(diǎn)，其他公司可能更指望在16/14nm節(jié)點(diǎn)，只有一些廠商會(huì)轉(zhuǎn)移到20nm節(jié)點(diǎn)。

這可能會(huì)為其他替代技術(shù)開(kāi)啟了另一扇門，如意法半導(dǎo)體（ST）以及其他業(yè)者提出的全耗盡型絕緣上覆硅（FD-SOI）技術(shù)。

考慮到成本不斷的增加以及芯片制造的復(fù)雜度，半導(dǎo)體公司已經(jīng)將從300mm晶圓過(guò)渡到45nn晶圓的時(shí)程延遲到2020年了。更大的晶圓有時(shí)雖可帶來(lái)更低成本，但業(yè)界也相應(yīng)地需要一款完整的工具，如今卻還無(wú)法到位。（Lisa WU，環(huán)球電子導(dǎo)報(bào)）