據(jù)化合物半導(dǎo)體與光電技術(shù)網(wǎng)站報(bào)道，Yole Developpement預(yù)測，到2012年GaN、藍(lán)寶石和GaAs襯底市場雄厚，化合物半導(dǎo)體的發(fā)展大大將削弱硅在整個(gè)芯片領(lǐng)域的地位。

在三月發(fā)布的“化合物半導(dǎo)體材料報(bào)告中”，Yole表示，化合物襯底在芯片半導(dǎo)體的總占有率從2005年的0.53%上升至去年的64%。該公司同時(shí)指出，低成本和大面積的襯底有助于進(jìn)一步提高其市場占有率，到2012年將上升至0.84%。

LED市場是藍(lán)寶石襯底增長趨勢的典型代表，藍(lán)寶石從2寸直接升級至4寸。至2012年，藍(lán)寶石襯底的銷售額將以20%的速度逐年遞增。藍(lán)寶石用于GaN LED的生長，使得化合物半導(dǎo)體市場的總占有率從2005年的0.27%提高至0.32%。

包括半導(dǎo)體和半絕緣材料在內(nèi)，GaAs襯底市場的銷售額增長率有些降低，達(dá)到10%。然而，蜂窩電話功率放大器對半絕緣GaAs襯底的需求，使得GaAs襯底占去年半導(dǎo)體襯底市場0.64%的份額，所以，10%增長率的威力還是不可小覷。其中，F(xiàn)reiberger、Sumitomo Electric、和Hitachi able是前三位GaAs襯底供應(yīng)商，而前六或前七大芯片制造商絕大多數(shù)正在使用6寸的半絕緣GaAs襯底。

GaN襯底價(jià)格昂貴，但吸引越來越多的應(yīng)用市場。GaN是整個(gè)半導(dǎo)體襯底市場年增長率最高的一項(xiàng)，為125%，目前的市場占有率為0.1%。

InP和SiC襯底還是化合物市場的小份額。而針對功率和射頻器件應(yīng)用的SiC襯底將在現(xiàn)有面積上百萬平方英寸的基礎(chǔ)上每年以35%的速度增長著。然而，襯底供應(yīng)商不斷增多，他們將通過供應(yīng)越來越便宜的襯底來改變上述格局。