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Gartner:2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將增長(zhǎng)10.2%
2011年6月16日    

【產(chǎn)通社,6月15日訊】全球技術(shù)研究和咨詢公司Gartner指出,2011年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將達(dá)到448億美元,與2010年406億美元的支出相比,增長(zhǎng)10.2%。然而,Gartner分析師也指出,半導(dǎo)體庫(kù)存出現(xiàn)修正,再加上晶圓設(shè)備制造供過(guò)于求,將導(dǎo)致2012年半導(dǎo)體資本設(shè)備支出略有下滑。

Gartner執(zhí)行副總裁Klaus Rinnen表示:“盡管日本的災(zāi)難性地震威脅將破壞電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈,但自我們?cè)?011年第一季度的預(yù)測(cè)以來(lái),資本支出和設(shè)備格局變化不大。由于日本廠商艱巨的努力,此次地震的影響已降低到最小程度!

半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)的所有領(lǐng)域預(yù)計(jì)都將在2011年呈現(xiàn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。Gartner分析師表示,2011年的支出是由積極的晶圓設(shè)備制造支出,處于領(lǐng)先的集成設(shè)備制造商(IDM)邏輯能力的加速生產(chǎn),以及內(nèi)存公司加速雙重曝光等因素推動(dòng)的。2012年,半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將下滑2.6%,隨后將在2013年增長(zhǎng)8.9%。隨著內(nèi)存供過(guò)于求的影響,周期性的下跌應(yīng)該在2013年底出現(xiàn)。

隨著半導(dǎo)體的持續(xù)增長(zhǎng),2011年全球晶圓制造設(shè)備(WFE)收入預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)11.7%。英特爾、晶圓和NAND支出將推動(dòng)先進(jìn)設(shè)備的需求,從而沉浸式光刻(immersion lithography)、蝕刻(etch)、雙重曝光中涉及的某些領(lǐng)域以及關(guān)鍵領(lǐng)先的邏輯制程將會(huì)受益。

2011年全球封裝設(shè)備(PAE)收入的增長(zhǎng)預(yù)計(jì)最低,為3.6%。后端制造商在2010年實(shí)現(xiàn)了可觀的增長(zhǎng),但市場(chǎng)于去年第四季度開(kāi)始放緩。隨著供需趨向平衡,訂單也已經(jīng)放緩。從后端工藝提供商的資本支出的角度來(lái)說(shuō),適用于低成本解決方案的3D包裝和銅線綁定是目前主要的側(cè)重點(diǎn)。絕大多數(shù)主要工具領(lǐng)域?qū)⒃?011年出現(xiàn)增長(zhǎng),但先進(jìn)的模具表現(xiàn)應(yīng)在今年超越總體市場(chǎng)。

2011年,全球自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)預(yù)計(jì)增長(zhǎng)6.9%。Gartner2011年的增長(zhǎng)預(yù)期是由片上系統(tǒng)和先進(jìn)的射頻等細(xì)分領(lǐng)域的持續(xù)需求所推動(dòng)的。隨著DRAM的資本支出軟著陸,自動(dòng)測(cè)試設(shè)備內(nèi)存收入很有可能在2011年回落。然而,NAND測(cè)試平臺(tái)在今年仍舊保持強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

查詢進(jìn)一步信息,請(qǐng)?jiān)L問(wèn)http://www.gartner.com

    
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