【產(chǎn)通社，7月6日】臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)灣工研院著眼于未來(lái)半導(dǎo)體新技術(shù)發(fā)展，于6月30日成立了三維立體集成電路(3D IC)研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，揭示臺(tái)灣IC技術(shù)由平面進(jìn)入立體堆棧及異質(zhì)整合的新里程碑。

臺(tái)灣工研院的3D IC研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，不但是亞洲首座擁有完整12吋3D IC核心制程暨硅穿孔(Through Silicon Via；TSV)的實(shí)驗(yàn)室，更具有整合EDA、IC設(shè)計(jì)、制造、封裝到試量產(chǎn)的完整制程，并預(yù)計(jì)在未來(lái)4年內(nèi)投入新臺(tái)幣16億元，替臺(tái)灣發(fā)展3D IC技術(shù)奠定核心基礎(chǔ)。

工研院電光所指出，以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平均每10年就面臨新技術(shù)瓶頸的趨勢(shì)來(lái)看，系統(tǒng)單芯片(SoC)發(fā)展即將面臨新瓶頸。3D IC技術(shù)能有效增加產(chǎn)品效能、減低功耗、降低成本、縮小體積及整合異質(zhì)IC，將會(huì)是未來(lái)主流技術(shù)，更是SoC的新出路。

目前，工研院3D IC研發(fā)實(shí)驗(yàn)室采用最先進(jìn)蝕刻系統(tǒng)進(jìn)行硅穿孔制程，已建置完成蝕刻開(kāi)孔深寬比高達(dá)10:1的蝕刻系統(tǒng)，遠(yuǎn)超過(guò)一般半導(dǎo)體設(shè)備4:1的蝕刻能力，可縮小互連組件所需的晶片面積。