【產(chǎn)通社，6月11日】市場(chǎng)研究暨顧問(wèn)機(jī)構(gòu)顧能（Gartner）報(bào)告指出，今年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出可望逾354億美元，年增113.2%，但2011年成長(zhǎng)恐趨緩，預(yù)期僅微幅增加6.6%。

技術(shù)升級(jí)帶動(dòng)市場(chǎng)成長(zhǎng)

技術(shù)升級(jí)將帶動(dòng)今年半導(dǎo)體資本設(shè)備市場(chǎng)成長(zhǎng)，對(duì)40納米和45納米設(shè)備需求大幅增加，帶動(dòng)晶圓代工的龐大資本支出。其中，英特爾（Intel）對(duì)3x納米的投資，NAND內(nèi)存制造商支出增加，以及升級(jí)至下一世代DDR3 DRAM內(nèi)存，都是主要投資成長(zhǎng)動(dòng)能。

不過(guò)，Gartner表示，可預(yù)見(jiàn)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)成長(zhǎng)將在今年底逐漸趨緩，由于市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩，資本設(shè)備成長(zhǎng)雖可延續(xù)至2011年，但成長(zhǎng)幅度也將逐漸縮小。

盲目擴(kuò)張可能導(dǎo)致在2013年進(jìn)入嚴(yán)重衰退

Gartner指出，由于對(duì)半導(dǎo)體的需求強(qiáng)勁，加以2008和2009年的投資不足，導(dǎo)致半導(dǎo)體業(yè)對(duì)設(shè)備的需求強(qiáng)勁，整體產(chǎn)能利用率將在今年第3季達(dá)到高峰，今年晶圓制造設(shè)備（WFE）成長(zhǎng)113.3%，2011年的增幅則為7.2%。

封裝與組裝設(shè)備（PAE）則因在先進(jìn)制程上的需求，例如晶圓級(jí)封裝、3D制程和直通硅晶穿孔（TSV）的制造，預(yù)期成長(zhǎng)率將勁揚(yáng)104.7%，2011年微增0.7%。

此外，全球的自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE）市場(chǎng)在今年首季觸及谷底后，季營(yíng)收逐漸回升，此一成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)可望延續(xù)至第3季，全年成長(zhǎng)幅度達(dá)133%。

Gartner表示，倘若產(chǎn)能再繼續(xù)且無(wú)限制的擴(kuò)張下去，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)可能將在2013年提早進(jìn)入比之前更為嚴(yán)重的衰退，其中，內(nèi)存制造商如何快速因應(yīng)市場(chǎng)疲軟和平均銷售價(jià)格
（ASPs）下降，將會(huì)決定ATE市場(chǎng)能否避免再次陷入衰退。