【產(chǎn)通社，4月7日】中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（CSIA）網(wǎng)站報(bào)道，雖然2010年GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。

GaN功率半導(dǎo)體目前正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開(kāi)始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)換效率。所以，全面開(kāi)始商用化之后，市場(chǎng)規(guī)模將快速擴(kuò)大。

目前已開(kāi)始GaN功率半導(dǎo)體商用化的企業(yè)包括美國(guó)國(guó)際整流器公司(IR)及美國(guó)Efficient Power Conversions (EPC)。IR在POL(pointofload)轉(zhuǎn)換器用多芯片模塊上采用了GaN功率半導(dǎo)體；而EPC已開(kāi)始銷(xiāo)售GaN功率半導(dǎo)體單品。

CSIA援引了iSuppli“關(guān)于GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告”，認(rèn)為GaN產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。

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