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Gartner:2010全球半導(dǎo)體資本支出成長(zhǎng)45%
2009年12月15日    

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【產(chǎn)通社,12月15日】今年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出衰退42.6%,但整體市場(chǎng)復(fù)蘇情況顯著,預(yù)期明年全球半導(dǎo)體資本設(shè)備支出將成長(zhǎng)45.3%。

Gartner表示,盡管半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)所有部門(mén)在今年皆顯著衰退,但明年可望出現(xiàn)兩位數(shù)成長(zhǎng),整體資本設(shè)備產(chǎn)業(yè)預(yù)期自2010年底起一路大幅成長(zhǎng)至2011年。其中,全球晶圓廠設(shè)備(WFE)今年支出預(yù)估將減少48.1%,明年支出年增率可能提高至56.6%。

晶圓產(chǎn)業(yè)明年面臨的關(guān)鍵議題是能否通過(guò)技術(shù)順利提升制程,使用193納米浸潤(rùn)式步進(jìn)機(jī)(immersion stepper),對(duì)記憶體廠商而言,若要將動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體 (DRAM)先進(jìn)制程技術(shù)推進(jìn)至4x納米,同樣也需浸潤(rùn)式設(shè)備。

全球封裝設(shè)備(PAE)今年支出預(yù)估將減少40.5%,明年則增加52.8%。

Gartner預(yù)估,部分產(chǎn)業(yè)的設(shè)備支出將有較顯著成長(zhǎng),包括高階制程產(chǎn)業(yè),如晶圓級(jí)封裝、3D制程,及硅晶穿孔(TSV)廠商,設(shè)備方面的需求成長(zhǎng)率將高于其他產(chǎn)業(yè)。

2009-2011年全球半導(dǎo)體資產(chǎn)設(shè)備支出(單位:億美元)
                   2009年    2010年    2011年
半導(dǎo)體資產(chǎn)支出     252.72     367.28     478.26         
成長(zhǎng)率(%)       -42.6       45.3       30.2      
設(shè)備資產(chǎn)          162.97      254.72     326.60     
成長(zhǎng)率(%)       -46.8       56.3       28.2            
晶圓廠設(shè)備        125.72     196.86      254.51           
成長(zhǎng)率(%)       -48.1       56.6       29.3 

全球自動(dòng)測(cè)試設(shè)備(ATE)今年支出逐步下滑44.9%,不過(guò),邁入2010年將有59.7%成長(zhǎng)。受惠于DDR3記憶體主流市場(chǎng)的轉(zhuǎn)變,2010年自動(dòng)測(cè)試設(shè)備產(chǎn)業(yè)將有近60%的高成長(zhǎng)。

    
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