【產(chǎn)通社，10月7日】集邦科技(DRAMeXchange)表示，隨著全球經(jīng)濟(jì)可望在2010年復(fù)蘇，明年各種NAND Flash的終端應(yīng)用產(chǎn)品的出貨量也將轉(zhuǎn)為成長，未來手機(jī)、SSD、記憶卡將內(nèi)建更高容量NAND Flash，但制造商明年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃保守，預(yù)估2010年全球NAND Flash將出現(xiàn)缺貨，供需缺口約2%。

集邦科技預(yù)估，明年MP3記憶卡及UFD(隨身碟)等NAND Flash傳統(tǒng)應(yīng)用產(chǎn)品內(nèi)建容量將持續(xù)提高，新的應(yīng)用領(lǐng)域也將為NAND Flash市場帶來新的成長動(dòng)力，例如智能型手機(jī)出貨量將持續(xù)成長，且搭配更高的NANDFlash內(nèi)建容量，供貨商也將更積極推廣SSD在各種計(jì)算機(jī)相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域。

就NAND Flash供給面而言，集邦科技表示，目前多數(shù)NAND Flash供貨商多處在由虧轉(zhuǎn)盈的階段，許多供貨商將以2010年市場需求的成長率，來做為明年產(chǎn)出成長目標(biāo)參考，以使NAND Flash市場能維持在較平衡的狀態(tài)，供貨商目前對明年的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃仍多保守，預(yù)期2010年NAND Flash晶圓總產(chǎn)出量將僅比2009年微幅增加，估計(jì)明年資本支出仍將以制程技術(shù)升級為主。由于多數(shù)供貨商于今年第4季才逐漸增加3x納米制程技術(shù)產(chǎn)量，集邦科技預(yù)期，這些供貨商量產(chǎn)2x納米制程技術(shù)時(shí)程將落在明年下半年；此外，供貨商也是自第4季才正式量產(chǎn)3-bit/cell MLC的產(chǎn)品，估計(jì)在經(jīng)過一段推廣期及產(chǎn)品技術(shù)改良后，出貨比重才可望在明年下半年明顯提高。

集邦科技估計(jì)，2010年NAND Flash需求位產(chǎn)出將比今年成長81%，達(dá)到10986M GB，至于2010年全球NAND Flash供給的位產(chǎn)出，將比今年成長79%，達(dá)到10759M GB；亦即明年全年供需缺口將由今年平衡狀況轉(zhuǎn)為偏緊，供需缺口約2%。

不過，集邦科技指出，季節(jié)性因素仍會影響季度的供需缺口，預(yù)期明年上半年NAND Flash市場因淡季因素，由今年下半年的供給偏緊，轉(zhuǎn)為小幅供過于求，而明年下半年可望因旺季效應(yīng)，轉(zhuǎn)為供給吃緊。

集邦科技并預(yù)期，未來價(jià)格的波動(dòng)性將會趨緩，而以反應(yīng)制程技術(shù)提升的成本下降效益為主。