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Memristor憶阻器將替代DRAM成第四種基本電路元件
2009年6月8日    

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【產(chǎn)通社,6月7日】大多數(shù)人只知道,組成電路的基本元件只有三種類型:電容器(Capacitor),電阻器(Resistor)和電感器(Inductor)。現(xiàn)在,一種稱作憶阻器(Memristor)的新型元件正在開發(fā)中,并有可能替代DRAM,成為第四種基本電路元件,其用途將與LCR元件一樣普及。

據(jù)報道,美國國家標準和技術研究院 (U.S. National Inst itute of Standards and Technology;NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor)的開發(fā)研究,希望能為內存科技打開新的大門。這項技術雖然相當創(chuàng)新,但其實去年已經(jīng)先由惠普(Hewlett-Packard)對外展示它靈活的形式,讓外界為之驚艷。

NIST日前表示,憶阻器(memristor)是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成,是種輕薄又靈活的透明聚合物。這項新開發(fā)的憶阻器能在不到10伏特的電流下運作,即使電力被切斷也可維持記憶能力,還能在伸縮逾4000次的情況下,仍能有效運作。

Nist研究員Nadine Gergel-Hackett在一份聲明中指出,我們希望能在電子產(chǎn)品被廣泛運用的當下,創(chuàng)造一種軟性且靈活的內存組件,進一步推動軟性電子產(chǎn)品的發(fā)展和計量學。

現(xiàn)在,NIST的研究小組用一種相當便宜的技術就能制造出憶阻器,他們透過二氧化鈦在旋轉時“溶膠凝膠法”的液態(tài)形式,把它擺放在透明的薄片上,然后讓聚合物在室溫下變干。研究人員在一份報告中指出,這樣制造出來的憶組體能保持非揮發(fā)性長達14天。

Nadine Gergel-Hackett更指出,由于憶阻器能夠從液體中被制出,未來具有很大的發(fā)展?jié)摿Γf不定未來憶阻體的制造過程能變得簡單又便宜,就像我們目前把它印在透明的幻燈片上的做法一樣。

其實,有關憶阻器的假設早在70年代就已經(jīng)被學者提出,但一直到2008年才由惠普的研究人員真正證明它的存在。由于憶阻體在沒有電流通過下,還能記憶先前通過的電量,未來就不必擔心計算機因為重新開機而喪失數(shù)據(jù)。這項技術也進一步提升芯片性能,更能讓芯片體積變得更加輕巧,甚至取代現(xiàn)今所使用的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。

NIST強調,憶阻器能夠為芯片帶來更多發(fā)展空間,不僅適用各項科技發(fā)領域,甚至可用于監(jiān)測血糖和心跳的醫(yī)療用途等。

    
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