| 來自Transphorm公司的高壓GaN的最新可靠性數(shù)據(jù) |
| 日期：2020/11/3 11:43:34 作者： |
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Transphorm公司最近發(fā)布了GaN平臺在實(shí)際應(yīng)用中的失效率（FIT）低于每十億小時(shí)1次故障——這是一種非常高的可靠性。以上FIT計(jì)算的依據(jù)來自大約250MW安裝量中累積的逾100億（10B）個(gè)現(xiàn)場工作小時(shí)。
Transphorm器件如今已廣泛應(yīng)用于65W至3kW的各種應(yīng)用。例如，智能手機(jī)和筆記本電腦的通用快速充電適配器；各種耐用型工業(yè)電源模塊；以及符合歐洲議會(huì)和理事會(huì)（ErP: Directive 2009/125/Ec）高能效生態(tài)設(shè)計(jì)要求的1.5-3.0kW鈦級數(shù)據(jù)中心電源。
Transphorm GaN與SiC的可靠性對比
碳化硅（SiC）功率器件是一種替代的功率轉(zhuǎn)換解決方案，相比GaN功率解決方案更加成熟。與Transphorm GaN的100億小時(shí)相比，SiC由于商用時(shí)間更早而擁有超過一萬億小時(shí)的現(xiàn)場運(yùn)行時(shí)間。但最近的報(bào)告表明，SiC的現(xiàn)場故障FIT為4.11，而Transphorm GaN迄今為止的FIT<1，這一對比顯示了后者卓越的現(xiàn)場可靠性。
內(nèi)部可靠性 = 現(xiàn)場可靠性 = 準(zhǔn)確度
外在可靠性也稱為早期壽命失效（ELF）或早期失效期（Infant Mortality），是通過制造商內(nèi)部分析來確定的——確定可能導(dǎo)致器件失效的材料、設(shè)計(jì)和工藝控制缺陷。而“現(xiàn)場故障率”度量的是客戶生產(chǎn)系統(tǒng)中發(fā)生故障的器件數(shù)量與銷售器件總數(shù)之比。
在評估FIT時(shí)，需要研究以上兩個(gè)指標(biāo)——ELF和現(xiàn)場故障率。這兩個(gè)比率的收斂意味著半導(dǎo)體制造商的內(nèi)部可靠性評估是準(zhǔn)確的；客戶可以相信所報(bào)告的器件性能水平。
2019年1月，Transphorm宣布現(xiàn)場故障FIT為3.1。在2019年晚些時(shí)候，現(xiàn)場故障FIT降至2.2�，F(xiàn)在，Transphorm的現(xiàn)場故障FIT小于1，進(jìn)一步接近其當(dāng)前0.612的ELF FIT。
對于客戶而言，了解技術(shù)的ELF統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)對于控制保修申請至關(guān)重要。Transphorm在測量其早期壽命失效率時(shí)遵循JEDEC的JESD74A標(biāo)準(zhǔn)中定義的標(biāo)準(zhǔn)行業(yè)慣例。為確保提供保守的結(jié)果，Transphorm對其器件進(jìn)行了最大額定峰值和85°C的適當(dāng)使用溫度測試。盡管JEDEC標(biāo)準(zhǔn)要求進(jìn)行早期壽命失效率測試，但通常只有硅器件制造商報(bào)告該數(shù)據(jù)——大多數(shù)GaN和SiC電力電子制造商則沒有提供。
Transphorm質(zhì)量和可靠性副總裁Ron Barr表示：“據(jù)我們所知，Transphorm是目前唯一一家報(bào)告ELF的高壓GaN半導(dǎo)體公司。我們知道，客戶在比較寬能隙技術(shù)時(shí)需要特定的信息，所以我們希望對此保持透明。在準(zhǔn)確性方面，正如我們經(jīng)�？吹降哪菢�，不同廠家對可靠性數(shù)據(jù)使用不同的計(jì)算方式或以不同尋常的方式加以處理，但仍作為同一指標(biāo)類型進(jìn)行報(bào)告。鑒于這種趨勢，我們的客戶教育工作著重在于說明，關(guān)鍵業(yè)務(wù)指標(biāo)的證明必須使用合理的方法，以及這么做的原因�！�
Transphorm對業(yè)界進(jìn)行了最有效的Q+R測試方法以及如何對結(jié)果進(jìn)行解釋的教育，以確�？蛻臬@得準(zhǔn)確的可靠性數(shù)據(jù)以進(jìn)行關(guān)鍵業(yè)務(wù)決策。
查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站 http://www.transphormchina.com。（Lisa WU, 365PR Newswire）
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