| 交錯式CCM圖騰柱無橋功率因數校正（PFC）參考設計 |
| 日期：2020/10/12 11:06:14 作者： |
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交錯連續(xù)導通模式（CCM）圖騰柱（TTPL）無橋功率因數校正（PFC）采用高帶隙GaN器件，由于具有電源效率高和尺寸減小的特點，因此是極具吸引力的電源拓撲。此設計說明了使用C2000 MCU和LMG3410 GaN FET模塊來控制此功率級的方法。
為了提高效率，此設計采用了自適應死區(qū)時間和切相方法。非線性電壓補償器旨在減少瞬態(tài)期間的過沖和下沖。此設計選擇基于軟件鎖相環(huán)（SPLL）的方案來精確地驅動圖騰柱電橋。主要特性包括：
- 在高壓線路上具有交流輸入（90-230Vrms）、50-60Hz和3.3KW額定功率；
- 峰值效率為98.75%且總諧波失真（THD）小于2%；
- 提供powerSUITE支持，以使設計輕松適應用戶要求；
- 內置頻率響應分析器（SFRA）以便驗證并設計控制環(huán)路；
- 低過零失真；
- 說明了自適應死區(qū)時間、切相和非線性電壓補償器的實現方式；
- 功率級控制可以在C28x CPU或并行CLA上運行。
用于此設計的硬件和軟件可幫助您縮短產品上市時間。查詢進一步信息，請訪問官方網站 http://www.ti.com.cn/tool/cn/TIDM-1007。
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