當(dāng)自愈情況出現(xiàn)時(shí)會(huì)出現(xiàn)一些特殊現(xiàn)象。在某些 情況中，薄弱點(diǎn)和體擊穿面積可以減少。在實(shí)驗(yàn)室實(shí)驗(yàn)中，熱擊穿可以被測(cè)量，而元件裝置不被毀壞；電擊穿可以被觀測(cè)到，而只出現(xiàn)最小的損壞。輔助自愈過程也可以被推導(dǎo)出；氧元素可從二氧化錳負(fù)極中釋放出來，允許鉭二氧化物的再生或消除電子陷阱（類似于陽極化處理或鈍化過程），使在介質(zhì)層中的薄弱點(diǎn)減少。

鉭電容器的故障模式的討論基本包括兩方面：標(biāo)準(zhǔn)二氧化錳負(fù)極類型和新導(dǎo)電聚合物（CP）類型。標(biāo)準(zhǔn)鉭電容器在正常工作模式下，由于電脈沖和電壓水平，使溝道（通道）中電導(dǎo)增加，而導(dǎo)致電擊穿。這會(huì)導(dǎo)致隨后的熱擊穿，將電容器擊毀。在相反模式下，我們已經(jīng)通報(bào)過：在相對(duì)低的電壓水平下，焦耳熱會(huì)引起導(dǎo)電增加，從而觸發(fā)熱擊穿。最終導(dǎo)致反饋循環(huán)，包括：溫度-電導(dǎo) -電流-焦耳熱，最終形成電擊穿。這兩種擊穿模式具有隨機(jī)特征，很難提前定位。相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)鉭電容器而言，導(dǎo)電聚合物（CP）電容器則顯示了稍微不同的電流導(dǎo)電機(jī)理。導(dǎo)電聚合物的介質(zhì)擊穿近似于雪崩擊穿和場(chǎng)致發(fā)射擊穿。是由于兩電極之間的引力，電化學(xué)衰變，枝狀結(jié)晶組織等原因?qū)е碌臋C(jī)電崩塌。然而，也出現(xiàn)了某些負(fù)極膜發(fā)生自愈現(xiàn)象報(bào)告。這可能源于膜蒸發(fā)，碳化和再氧化過程。但并非所有的電容器擊穿會(huì)導(dǎo)致自愈現(xiàn)象或開路狀態(tài)�？赡芤矔�(huì)出現(xiàn)短路情況。

根據(jù)報(bào)告，導(dǎo)電聚合物材料有兩種自愈途徑。第一個(gè)理論基于蒸發(fā)過程。聚合物的熔化和蒸發(fā)溫度相當(dāng)?shù)�。如電流錯(cuò)誤足以使聚合物加熱，則其可蒸發(fā)和消除掉其與該處的聯(lián)系。自愈的第二個(gè)理論則認(rèn)為當(dāng)導(dǎo)電聚合物在故障處被加熱時(shí)，聚合物吸收氧元素，從而形成一個(gè)高電阻帽，封住了電流向該故障處的通路，與二氧化錳MnO2的自愈方式大致相同。介質(zhì)層的擊穿過程并不十分確定。我們的薄氧化膜實(shí)驗(yàn)表明電擊穿并不在施加電場(chǎng)的定義值精確（高）時(shí)出現(xiàn)。擊穿過程是隨機(jī)過程的結(jié)果，最終的擊穿個(gè)案，多數(shù)情況下都為獨(dú)立事件。

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